Пластина из фосфида индия (InP) — это полупроводник с высокой мобильностью и прямым зазором (1,34 эВ) III-V соединенный полупроводник. Оптимизирована для высокочастотных радиочастот (до ТГц), оптической связи 1,3–1,55 мкм и низкошумных фотонных интегральных схем (PIC). С покрытием с низким уровнем EPD и эпи-готовыми поверхностями.

Арсенид галлия (GaAs) сочетает в себе прямую забороченную зону с высокой подвижностью электронов, что делает его широко используемым материалом подложки для высокочастотных и оптоэлектронных устройств. Пластины GaAs от PWG поддерживают MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, лазерные диоды и высокоэффективные солнечные элементы, доступные в различных диаметрах, кристаллических ориентациях и покрытиях, готовых к эпи.

Power Wafertech Group поставляет подложки на основе арсенида индия (InAs) для инфракрасного обнаружения, высокомобильной электроники и передовых исследований полупроводников III-V. Доступные варианты включают N-тип и P-типы InA с выбранным диаметром пластин, ориентацией кристаллов и отделкой поверхности для изготовления устройств и эпитаксиального роста.

С постоянной решётки примерно 6,096 Å, GaSb (галлиевый антимонид) обеспечивает отличную совместимость решётки с материалами на основе сурьма, такими как InAs, AlSb и InAsSb, что делает его важной платформой для подкладки для инфракрасных детекторов типа II (T2SL), лазеров среднего диапазона и передовых оптоэлектронных устройств. GaSb-пластины доступны в различных диаметрах, кристаллических ориентациях и поверхностных покрытиях для эпитаксиального роста и изготовления устройств.

С сверхузкой прямой запрещённостью примерно 0,17 эВ при 300 К и исключительно высокой подвижностью электронов, InSb особенно подходит для инфракрасного обнаружения средней длины волн (MWIR) в диапазоне 3–5 мкм. PWG поставляет пластины из N-типа и P-типа In-Sb (InSb) для высокочувствительного инфракрасного обнаружения, магнитного сенсора и криогенной электроники.

Самостоятельные (FS) субстраты GaN — это нативные объёмные пластины GaN, которые устраняют чужеродные субстраты (сапфир/кремний). Обладает ультранизкой плотностью дислокаций и высоким кристаллическим качеством, обеспечивая идеальную платформу для высокопроизводительных лазерных диодов, Micro-LED и радиочастотных устройств.