Пластины SiC
Субстрат SiC
Премиальные подложки SiC для электроснабжения, радиочастотных и оптоэлектронных устройств. Доступны в политипах 4H, 6H и 3C с вариантами типа N, P и полуизоляционных вариантов. Предлагается в размерах 2"–12" с покрытием, готовым к эпи, для современного производства полупроводников.