01
Оптическая связь и фотоника
Применения: DFB-лазеры, EML, фотодиоды PIN, APD для оптоволоконной связи 1,3–1,55 мкм. Рекомендуемая спецификация: N-тип или полуизоляционный (Fe-легированный) InP.
Составные пластины III-V
InP Wafer
Пластина из фосфида индия (InP) — это полупроводник с высокой мобильностью и прямым зазором (1,34 эВ) III-V соединенный полупроводник. Оптимизирована для высокочастотных радиочастот (до ТГц), оптической связи 1,3–1,55 мкм и низкошумных фотонных интегральных схем (PIC). С покрытием с низким уровнем EPD и эпи-готовыми поверхностями.
- Размер — 2", 3", 4", 6”
- Ориентация — (100), (111)
- Тип проводимости — N-тип (S-легированный), P-тип (Zn-легированный) и полуизолирующий (Fe-легированный)
- Поверхностная отделка — SSP или DSP, готовые к эпи-эпи.
- EPD — ≤ 500 см⁻²
- Упаковка — Кассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная
Подробные технические характеристики
Технические характеристики по типу пластины.
Select a wafer type to view detailed specs
Уведомление о экспортном контроле
Экспорт этого продукта регулируется Министерством торговли КНР (MOFCOM). Перед отправкой необходимо получить лицензию на экспорт. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по соблюдению требований для получения подробностей.
Уведомление о экспортном контроле
Экспорт этого продукта регулируется Министерством торговли КНР (MOFCOM). Перед отправкой необходимо получить лицензию на экспорт. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по соблюдению требований для получения подробностей.
Уведомление о экспортном контроле
Экспорт этого продукта регулируется Министерством торговли КНР (MOFCOM). Перед отправкой необходимо получить лицензию на экспорт. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по соблюдению требований для получения подробностей.
Уведомление о экспортном контроле
Экспорт этого продукта регулируется Министерством торговли КНР (MOFCOM). Перед отправкой необходимо получить лицензию на экспорт. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по соблюдению требований для получения подробностей.
Применение
Где эта пластина приносит ценность
02
Высокоскоростная и радиоэлектроника
Применения: HBT, HEMT, HEMT MMIC, THz-детекторы и источники. Рекомендуемые характеристики: полуизолирующий вход для радиочастот/MMIC; Проводящий InP для HBT/Hemt.
03
Фотонные интегральные схемы (PIC)
Применения: оптические трансиверы, дата-центры, когерентные коммуникации. Рекомендуемые характеристики: полуизоляционный или N-тип InP на основе архитектуры устройства.
FAQ
Распространённые вопросы об этом продукте
Быстрые ответы по выбору материалов, кастомизации, тестированию и заказу.
N-тип (S-легированный) и P-тип (Zn-легированный) являются проводящими подложками для оптоэлектронных и электронных устройств. Полуизоляционный (Fe-легированный) InP обладает высокой сопротивлённостью и идеально подходит для радиочастотных, микроволновых и высокочастотных приложений.
Для DFB-лазеров, EML и фотодетекторов размером 1,3–1,55 мкм мы рекомендуем N-тип или полуизоляционную (Fe-легированную) пластину InP, в зависимости от конкретной эпитаксиальной структуры и конструкции устройства.
Полуизоляционный (Fe-легированный) InP в первую очередь выбирается для радиочастотных, микроволновых и ТГц устройств благодаря высокому сопротивлению и отличной электрической изоляции.
Да. Мы поддерживаем прототипирование исследований и разработок и заказы на небольшие партии. По запросу доступны индивидуальные ориентации, легирование и спецификации, готовые к эпи-препарату.
Пластины упаковываются в вакуумно запечатанные однопластиночные кассеты в сертифицированной ISO чистой комнате. Мы обеспечиваем доставку, готовую к Fab, с доставкой от двери до двери.
GaAs Wafer
Арсенид галлия (GaAs) сочетает в себе прямую забороченную зону с высокой подвижностью электронов, что делает его широко используемым материалом подложки для высокочастотных и оптоэлектронных устройств. Пластины GaAs от PWG поддерживают MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, лазерные диоды и высокоэффективные солнечные элементы, доступные в различных диаметрах, кристаллических ориентациях и покрытиях, готовых к эпи
. Подробнее
InAs Wafer
Power Wafertech Group поставляет подложки на основе арсенида индия (InAs) для инфракрасного обнаружения, высокомобильной электроники и передовых исследований полупроводников III-V. Доступные варианты включают N-тип и P-типы InA с выбранным диаметром пластин, ориентацией кристаллов и отделкой поверхности для изготовления устройств и эпитаксиального роста.
Подробнее
GaSb Wafer
GaSb (сурьма галлия) является предпочтительным субстратом для эпитаксии на основе сурьмы. Обладая постоянной решётки 6,096 Å для отличной совместимости с InAs/AlSb, он широко используется для ИК-детекторов типа II (T2SL) и лазеров среднего диапазона. Доступны в размерах 2", 3" и 4" с покрытиями, готовыми к эпи.
Подробнее
Пластина InSb
Пластина InSb (индийный антимонид) доступна для инфракрасных детекторов MWIR и магниторезистивных устройств. Доступны варианты N-типа и P-типа с эпи-готовыми поверхностями для поддержки специфических требований к изготовлению устройств и эпитаксиального роста.
ПодробнееТехническое расследование
Поговорите с инженерами о ваших потребностях в пластинах
Поделитесь материалом, размерами, техническими характеристиками, заявкой или стадием проекта. Наша команда рассмотрит ваши требования и ответит в течение одного рабочего дня.
Реакция, основанная на инженерах
Запросы направляются в соответствующую техническую или коммерческую команду.
Адрес
No 1389, улица Ляньмэй, промышленная зона Ляньхуа, Тунъань, Сямэнь, Фуцзянь 361100, Китай
Телефон
Электронная почта