Составные пластины III-V

InP Wafer

Фосфид индия (InP) — это полупроводник из состава III-V с прямым забороченным зазором (1,34 эВ при 300 К) и более высокой подвижностью электронов, чем GaAs. Он обеспечивает превосходную производительность в трёх ключевых областях: высокочастотный радиочастотный сигнал (до диапазона до ТГц), оптоэлектроника длинной волны (1,3–1,55 мкм) и фотонные интегральные схемы с низким фазовым шумом.

Размер — Доступны в форматах 2", 3", 4" и 6"
Ориентация — (100), (111)
Тип проводимости — N-тип (S-легированный), P-тип (Zn-легированный) и полуизолирующий (Fe-легированный)
Поверхностная отделка — SSP или DSP, готовые к эпи-эпи.
Упаковка — Кассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная
Доставка — От двери к двери, короткий срок доставки

Поделитесь этим продуктом:

Подробные технические характеристики

Опубликованные спецификации по диаметру пластины.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Параметр	Субстрат 2"/50,8 мм InP
Тип проводимости	N-тип
Допант	S
Ориентация	(100) / (111)
Проводимость	N-тип
Толщина	350±25 мкм
TTV
Лук
Варп
EPD	≤500 см⁻²
Поверхностная отделка	SSP / DSP, готовы к эпи-эпи.
Флэт	Полустандарт
Упаковка	Кассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная

Параметр	3" / 76,2 мм InP подложка
Тип проводимости	N-тип
Допант	S
Ориентация	(100) / (111)
Проводимость	N-тип
Толщина	600±25 мкм
TTV
Лук
Варп
EPD	≤500 см⁻²
Поверхностная отделка	SSP / DSP, готовы к эпи-эпи.
Флэт	Полустандарт
Упаковка	Кассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная

Параметр	4" / 100 мм подложка InP
Тип проводимости	N-тип
Допант	S
Ориентация	(100) / (111)
Проводимость	N-тип
Толщина	600±25 мкм
TTV
Лук
Варп
EPD	≤500 см⁻²
Поверхностная отделка	SSP / DSP, готовы к эпи-эпи.
Флэт	Полустандарт
Упаковка	Кассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная

Параметр	6" / 150 мм InP Substrat
Тип проводимости	N-тип
Допант	S
Ориентация	(100) / (111)
Проводимость	N-тип
Толщина	675±25 мкм
TTV
Лук	≤15 мкм
Варп	≤15 мкм
EPD	≤500 см⁻²
Поверхностная отделка	SSP / DSP, готовы к эпи-эпи.
Флэт	Полустандарт
Упаковка	Кассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная

Применение

Где эта пластина приносит ценность

Оптическая связь и фотоника

Пластины InP широко используются для оптоэлектронных устройств длинной волны, работающих в окнах оптоволоконной связи с диаметром 1,3 мкм и 1,55 мкм. Типичные устройства: DFB-лазерные диоды, EML-лазеры, PIN-фотодиоды, APD, фотонные интегральные схемы, AWG-устройства. Рекомендуемые пластины: N-тип / P-тип / полуизоляционный вход, в зависимости от структуры устройства.

Высокоскоростная и радиоэлектроника

InP обеспечивает высокую производительность переноса электронов и широко используется для высокоскоростных электронных и радиочастотных устройств, включая высокочастотные MMIC и передовые исследования полупроводников. Типичные устройства: HBT, HEMTs Высокочастотные MMIC Умножители частоты Терагерцовые детекторы Высокоскоростные электронные устройства Рекомендуемые пластины: Полуизолирующий InP для RF/MMIC приложений; проводящий InP для выбранных HBT и электронных структур.

Фотонные интегральные схемы

InP является важной платформой для интегрированной фотоники, поскольку поддерживает как активные оптические устройства, так и фотонную интеграцию. Типичные применения: оптические трансиверы Дата-центры Когерентные связи Волоконно-оптическая связь Фотонные интегральные схемы Высокоскоростные оптические модули Рекомендуемые пластины: N-тип, P-тип или полуизоляционный в зависимости от эпи-типа и архитектуры устройства.

FAQ

Распространённые вопросы об этом продукте

Быстрые ответы по выбору материалов, кастомизации, тестированию и заказу.

В чём разница между пластинами типа N, P и полуизолирующими пластинами InP?

Пластины InP типа N и P — это проводящие субстраты, широко используемые для оптоэлектронных и электронных устройств. Полуизолирующий InP, обычно легированный Fe, особенно подходит для РЧ, микроволновых и высокочастотных приложений.

Какая пластина InP подходит для оптических коммуникационных устройств?

Подходящий тип проводимости зависит от устройства и эпитаксиальной структуры. N-тип, P-тип и полу-изолирующий InP могут использоваться для различных архитектур оптических коммуникационных устройств.

Какую пластину InP рекомендуется для радиочастотных и высокочастотных приложений?

Полуизоляционный Fe-легированный InP обычно выбирается для радиочастотных, микроволновых и высокочастотных устройств благодаря высокому сопротивлению и электрической изоляции.

Можете ли вы поставить InP-пластины для R&D и небольших партий проектов?

Да. Мы поддерживаем исследования, требования к прототипам и малым партиям, при условии соблюдения запрошенных спецификаций и количества пластин.

Связанные продукты

Просмотрите соседние материалы, диаметры и типы переноски, чтобы найти оптимальный вариант для вашей программы.

Техническое расследование

Поговорите с инженерами о ваших потребностях в пластинах

Поделитесь материалом, размерами, техническими характеристиками, заявкой или стадием проекта. Наша команда рассмотрит ваши требования и ответит в течение одного рабочего дня.