Кремниевая подложка

Кремниевая подложка

Power Wafertech Group поставляет однокристаллические кремниевые пластины для производства полупроводниковых приборов, MEMS, эпитаксиального роста и исследовательских применений. Могут поставляться как кремниевые, так и тестовые пластины.

Посмотреть продукт

Кремниевая эпитаксиальная пластина

Кремниевая эпитаксиальная пластина

Power Wafertech Group поставляет кремниевые эпитаксиальные пластины (Si epi wafers), выращенные с помощью современной эпитаксии сердечно-сосудистых заболеваний. Точно контролируемые кремниевые эпитаксиальные слои наносятся на проводящие подложки для достижения необходимой толщины, профиля легирования и сопротивления для производства полупроводниковых приборов.

Посмотреть продукт

Пластина с диоксидом кремния

Пластина с диоксидом кремния

Power Wafertech Group поставляет пластины на основе диоксида кремния (SiO₂ на Si), производимые методом контролируемого термического окисления кремниевых подложок. Доступны как сухое термическое окисление, так и влажное термическое окисление для зависимости от толщины оксида и требований к процессу. Наши пластины SiO₂ имеют контролируемую толщину оксида, хорошую однородность на уровне пластин и готовые к эпи/процессу поверхности.

Посмотреть продукт

III-V полупроводниковые эпитаксиальные пластины

III-V полупроводниковая эпитаксиальная пластина

PWG предлагает эпитаксиальные решения на основе субстратов InP, GaSb и GaAs, охватывающие гетероструктуры для HEMT, pHEMT, HBT, лазерных диодов, фотодетекторов, VCSEL, инфракрасных детекторов и других устройств III-V.

Посмотреть продукт

Составные пластины III-V

Пластина InSb

С сверхузкой прямой запрещённостью примерно 0,17 эВ при 300 К и исключительно высокой подвижностью электронов, InSb особенно подходит для инфракрасного обнаружения средней длины волн (MWIR) в диапазоне 3–5 мкм. PWG поставляет пластины из N-типа и P-типа In-Sb (InSb) для высокочувствительного инфракрасного обнаружения, магнитного сенсора и криогенной электроники.

Посмотреть продукт

Составные пластины III-V

InP Wafer

Фосфид индия (InP) — это полупроводник из состава III-V с прямым забороченным зазором (1,34 эВ при 300 К) и более высокой подвижностью электронов, чем GaAs. Он обеспечивает превосходную производительность в трёх ключевых областях: высокочастотный радиочастотный сигнал (до диапазона до ТГц), оптоэлектроника длинной волны (1,3–1,55 мкм) и фотонные интегральные схемы с низким фазовым шумом.

Посмотреть продукт