01
Рост кристаллов
Точный контроль легирования и низкая плотность дефектов (PVT, LEC, VGF)
О Power Wafertech Group
От роста кристаллов до эпитаксиальных пластин
Откройте для себя полноценные производственные возможности PWG для составных полупроводниковых субстратов и эпи-пластин. Обеспечивая инженерное сотрудничество от НИОКР до крупного производства.
Обзор компании
Ваш полный материальный партнёр
Power Wafertech Group — это производитель материалов с полным циклом составных полупроводниковых субстратов и эпитаксиальных пластин, включая SiC, GaN, InP, GaAs, GaSb и InSb. Мы контролируем основные процессы — от выращивания кристаллов и изготовления субстрата до эпитаксиального осаждения — обеспечивая безопасность цепочки поставок и строгую согласованность материалов.
Мы поддерживаем глобальных клиентов строгим соблюдением спецификаций, полной пакетной прослеживаемостью и быстрой поддержкой от инженера к инженеру. От R&D прототипирования до повторного производства — мы предоставляем документированные, качественные материалы для ваших устройств.
Технологии и производство
Интегрированный процесс разработки и обработки пластин
Полностью контролируемый внутренний производственный поток. Мы обеспечиваем строгий контроль качества, полную отслеживаемость партий и безопасные поставки на каждом этапе программы вашего устройства.
02
Обработка пластин
Продвинутая нарезка, шлифовка и полировка CMP для поверхностей, готовых к эпи-препарату
03
Эпитаксия
Рост HVPE / MOCVD / MBE с плотной толщиной и равномерностью легирования
04
Изготовление
Обработка в дальнейшем направлении, включая нарезание пластин, разреждение и металлизацию
05
Характеристика
Комплексная инспекция с использованием картирования XRD, AFM и PL. Полный CoA предоставлен.
СЕРВИСЫ WAFER
Точная обработка пластин и поддержка процессов устройств
Полное портфолио услуг по точной обработке и тонкопленочному осадке. Мы предоставляем индивидуальные решения — от обработки подложки до сложного изготовления устройств, гарантируя, что производительность соответствует вашим конкретным потребностям проекта.
Обработка пластин
Высокоточная полировка, нарезание кубиками и протончение пластин CMP для материалов 4H-SiC, GaSb, InSb и других материалов с широким зазором/III-V.
Нарезание кубиками
Протонка пластин
Тонкоплёночное осаждение
Оптические и электрические покрытия посредством испарения или распыления электронного луча. Металлы с высоким адгезией (Au, Ti/Pt/Au) и ИК/УФ антирефлексные пленки.
Покрытия AR
Металлическое осаждение
Скрепление пластин
Продвинутые решения для соединения, включая 4H-SiC-on-Insulator (4H-SiCOI) для высокопроизводительных радиочастот, силовых устройств и интегрированной фотоники.
4H-SiCOI
Ионная имплантация
Точный контроль над видами, энергией и дозой для формирования проводящих или изолированных областей в SiC, GaN, Si и других соединенных полупроводниках.
Точное легирование
Качество и инспекция
Доказательства качества на протяжении всего жизненного цикла ордена
Ожидания по качеству согласовываются при проверке спецификации и поддерживаются входящими, текущими и исходящими контролями. Доступные отчёты, поля отслеживаемости и варианты упаковки подтверждаются в зависимости от продукта и заказа.
- Входящая, текущая и исходящая инспекция
- Доступность COA или инспекционного отчёта по продукту
- Записи на уровне партии и отслеживаемость
- Требования к чистой упаковке подтверждаются на каждом заказе
- Оперативная координация после продаж и вопросов
Отчёты по тестированию качества
Проверенные стандарты и системы управления
Отчёт по тестированию пластин 4H-SiC
AlN на Sapphire Template
Синяя светодиодная пластина на отчёте по тесту сапфира
Отчёт по тестированию пластин InP
Группа 01 / 01
Доказательства сотрудничества
Проверенные модели сотрудничества: от спецификаций до продакшена
Примеры того, как мы поддерживаем индустрию и исследовательские программы. Подробные данные проекта и идентичности клиентов защищены строгими соглашениями о неразглашении.
Отраслевая программа
Вызов для клиентов
Масштабирование проверенных спецификаций субстрата под производство с большим объемом.
Решение PWG
Точная полировка CMP, протончение пластин и нарезание с большим объёмом для 4H-SiC. Доставка готовых к Fab субстратов с строгой консистенцией партий.
Исследовательская программа
Вызов для клиентов
Низкообъёмная пользовательская эпитаксия для характеристики новых устройств.
Решение PWG
Быстрая прототипизация и кастомная эпитаксия с низким MOQ. Рост многослойных стеков MOCVD/MBE в сочетании с полной характеристикой материала.
Разработка приложений
Вызов для клиентов
Индивидуальное легирование и обработка поверхностей для новых архитектур.
Решение PWG
Точная имплантация ионов и индивидуальные металлические покрытия для изоляции устройств и омических контактов.
Инфраструктура и глобальная поддержка
Четыре производственных базы, лаборатории и глобальная поддержка
Ознакомьтесь с объёмом бизнеса каждого сайта. Информация о объектах фиксируется при условии официальной валидации.
01
Производственная база
База 01
Материалы для подложки
Внутренний выращивание кристаллов и синтез материалов
02
Производственная база
База 02
Обработка пластин
Нарезка, шлифовка и полировка
03
Производственная база
База 03
Эпитаксия и тонкие плёнки
Продвинутый рост эпитаксии и тонкоплённое осаждение
04
Производственная база
База 04
Индивидуальная инженерия
Специальные форматы, QA и поддержка программ
Производственные мощности
Сертифицированные ISO-чистые помещения, оборудованные для выращивания кристаллов, изготовления пластин и эпитаксиального осаджения.
Инспекционная лаборатория
Оснащён картографированием XRD, AFM и PL для строгой характеристики и инспекции материалов.
Квалификация и глобальная служба
Обеспечение глобальных цепочек поставок с помощью строгой отслеживаемости партий, инженерной поддержки с NDA и безопасной упаковки в чистых помещениях.
Работа с Power Wafertech
Партнёрство с Power Wafertech
Изучите наше портфолио пластин или обсудите требования к материалам, обработке или программе с нашей командой.