МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ · ПРЕЦИЗИОННОЕ ПРОИЗВОДСТВО
Составные полупроводниковые подложки и эпи-пластины
От исследований и разработок до крупного производства. PWG поставляет SiC, GaN, AlN, InP, GaAs, GaSb, InSb и специализированные пластины с строгим контролем качества и быстрыми сроками поставки.
Субстратные пластины
Эпитаксиальные пластины
Специальные · Инженерная поддержка
О POWER WAFERTECH GROUP
Точно инженерные пластины
Power Wafertech Group (PWG) — это производитель материалов с полным циклом составных полупроводниковых субстратов и эпитаксиальных пластин, включая SiC, GaN, InP, GaAs, GaSb и InSb. Мы контролируем основные процессы — от выращивания кристаллов и изготовления субстрата до эпитаксиального осаждения — обеспечивая безопасность цепочки поставок и строгую согласованность материалов.
Мы поддерживаем глобальных клиентов строгим соблюдением спецификаций, полной пакетной прослеживаемостью и быстрой поддержкой от инженера к инженеру. От R&D прототипирования до повторного производства — мы предоставляем документированные, качественные материалы для ваших устройств.
Мы поддерживаем глобальных клиентов строгим соблюдением спецификаций, полной пакетной прослеживаемостью и быстрой поддержкой от инженера к инженеру. От R&D прототипирования до повторного производства — мы предоставляем документированные, качественные материалы для ваших устройств.
Изучите наш инженерный подход
ИНЖЕНЕРНО-ОРИЕНТИРОВАННАЯ ДОСТАВКА
От первоначальной оценки материала до повторного производства.
25+
Годы работы в отрасли
Опыт работы в отрасли
500+
Обслуживаемые клиенты
Обслуживаемые программы для клиентов
4
Производственные площадки
Производственная сеть
QA
Документация по качеству
Объем подтверждён по запросу
ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКТОВ
Субстраты и эпитаксиальные пластины
Три специализированных семейства продуктов: стандартные и кастомные субстраты, эпитаксиальные пластины и специализированные конфигурации для требовательных программ устройств.
Субстратные пластины
Субстраты с низким содержанием дефектов для требовательного изготовления устройств.
МАТЕРИАЛЫ
SiC · GaN · AlN · GaAs · InP · GaSb · InSb · Кремний
ПРИМЕНЕНИЕ
Силовые устройства · RF · Фотоника · Датчики
Эпитаксиальные пластины
Точное эпитаксиальное выращивание с плотной толщиной и контролем легирования.
СООРУЖЕНИЯ
На основе SiC · GaN · На основе GaAs · На основе InP · На базе GaSb
ПОДДЕРЖКА ПРОГРАММ
MOCVD / MBE · Быстрое прототипирование · Серийное производство
Кастомные и специализированные пластины
Индивидуальные пластины для нестандартных спецификаций и специализированных программ устройств.
ВОЗМОЖНОСТИ ОБРАБОТКИ
Полировка · Нарезание пластин · Прореживание · Покрытие
ИНДИВИДУАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Нестандартные размеры · Индивидуальные конструкции
НАЙТИ ПО ПРИЛОЖЕНИЮ
Применение и отрасли
Инженерные материалы, адаптированные к вашим требованиям по напряжению, теплу и производству.
ИЗБРАННОЕ ПРИМЕНЕНИЕ
Силовая электроника
Оптимизировано для высоковольтных, высокоэффективных силовых устройств. Поддержка требовательных приложений, таких как силовые агрегаты электромобилей, инверторы возобновляемой энергии и источники питания для дата-центров на базе ИИ.
РЕКОМЕНДУЕМЫЕ РЕШЕНИЯ
SiC · GaN
Исследуйте энергетические решения
ПОЧЕМУ POWER WAFERTECH
Больше, чем поставщик пластин
От индивидуальной спецификации до повторного производства. Мы обеспечиваем инженерное сотрудничество и безопасность цепочки поставок, необходимые вашей программе.
01
Инженерная кастомизация
Индивидуальные материалы, адаптированные к вашим спецификациям устройства. Мы определяем точные параметры — размеры, ориентацию и отделку поверхности — чтобы соответствовать вашим конкретным потребностям применения.
02
Поддержка от разработки до производства
Бесшовный переход от НИОКР к массовому производству. Преодоление разрыва с помощью быстрого прототипирования, гибких низкообъёмных работ и безопасного повторного производства.
03
Контролируемое качество и отслеживаемость
100% проверка в процессе с полной отслеживаемостью партий. Строгий контроль процессов и задокументированные данные тестирования обеспечивают стабильное качество и безопасные, долгосрочные поставки.
ИНЖЕНЕРИЯ И ПРОИЗВОДСТВО
Точные процессы.
Контролируется на каждом этапе.
Контролируется на каждом этапе.
Полностью вертикально интегрированное производство. От выращивания кристаллов до эпитаксиального выращивания мы поддерживаем строгий контроль процессов на каждом этапе, чтобы обеспечить оптимальное качество материалов и производительность устройства.
Исследуйте всё
01. Рост кристаллов
Точный контроль легирования и стехиометрии с использованием продвинутых методов роста массы (например, PVT, LEC, VGF) для минимизации дефектов с самого начала.
02. Подготовка субстрата
Продвинутая нарезка, шлифовка и полировка CMP для достижения шороховатости поверхности субнанометра, строгий контроль TTV/Bow/Warp и готовые к эпи-обработке поверхности.
03. Эпитаксиальный рост
Возможности MOCVD и MBE обеспечивают плотную толщину и равномерность легирования, а также низкую плотность дефектов в структуре вашего устройства.
04. Инспекция качества
Комплексная инспекция с использованием картирования XRD, AFM и PL. Полная отслежимость партии с упаковкой для чистых помещений обеспечивает безопасную передачу с высоким доходом.
НЕПРЕРЫВНОСТЬ ПРОГРАММЫ
Контроль спецификаций, полная документация и прослеживаемость на уровне пакетов от R&D до производства.
КАЧЕСТВО И ПОДДЕРЖКА ПРОГРАММ
Встроенное качество. Комплексная инженерная поддержка.
Качество внедряется на каждом этапе — от выбора входящих материалов и управления процессом SPC до финального тестирования. Мы предоставляем полную документацию, строгое соблюдение спецификаций и оперативную поддержку от инженера к инженеру, чтобы обеспечить бесшовный переход от прототипа к массовому производству.
Сертифицированные процессы качества ISO 9001
Отслеживаемость пакетов и CoC
Полные отчёты по тестам и CoA
Быстрая поддержка от инженера к инженеру
Поговорите с инженером
ДОВЕРЕННОЕ СОТРУДНИЧЕСТВО
Поддержка промышленности, исследований и новых технологий
Ускорение инноваций в материалах — от НИОКР к массовому производству. Сотрудничество с лидерами отрасли и исследовательскими учреждениями по индивидуальным пластинам, специализированному производству и безопасным объемным поставкам.
ОТРАСЛЕВЫЕ ПРОГРАММЫ
Масштабируемость от прототипа до массового производства
Предоставляя производителям полупроводников индивидуальные спецификации, быстрое прототипирование и безопасные цепочки поставок с большим объемом.
ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЕ СОТРУДНИЧЕСТВО
Индивидуальные материалы для специализированных исследований
Сотрудничество с ведущими исследовательскими институтами по оценке новых материалов, индивидуальной эпитаксии и нестандартному изготовлению пластин для ускорения научных прорывов.
ПРОЕКТЫ НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
Гибкая поддержка программ на ранних стадиях
Предоставление гибких пилотных запусков с низким объёмом, быстрого прототипирования и профессионального технического руководства для конфиденциальных программ под строгой защитой NDA.
Сеть сотрудничества
Пользуется доверием мировых лидеров отрасли и ведущих исследовательских институтов.
НОВОСТИ И АНАЛИТИКА
Последние новости от Power Wafertech
Просмотреть все новости
Тенденции отрасли
2026-09-01 14:19:48
8-дюймовые субстраты SiC переходят от пилотного к основному. Изучите вопросы поставок, ценообразования и эпитаксии в 2026 году для производителей энергетических устройств.
Тенденции отрасли
2026-09-01 14:20:09
Стойки с искусственным интеллектом перерастают с 10 кВт до более чем 100 кВт. Узнайте, как архитектура 800 В HVDC распределяет спрос между SiC и GaN, и что это значит для характеристик эпиваферов.
Технические инсайты
2026-10-23 17:24:21
Толщина слоя спейсера сильно влияет на криогенный шум в InP HEMT, обеспечивая оптимизированный баланс между мобильностью, управлением затвором и передачей в реальном пространстве. Легирование и стабильность слоя крышек также должны разрабатываться совместно с процессами металлизации и отлёта, чтобы поддерживать низкое сопротивление контакту.
ТЕХНИЧЕСКОЕ РАССЛЕДОВАНИЕ
Поговорите с инженерами о ваших потребностях в пластинах
Подайте материал, спецификации и этап проекта. Наша инженерная команда отреагирует в течение 1 рабочего дня.
Прямая поддержка от инженера к инженеру
Ваш запрос направляется напрямую нашей технической команде для быстрого и компетентного ответа.
Адрес
No 1389, улица Ляньмэй, промышленная зона Ляньхуа, Тунъань, Сямэнь, Фуцзянь 361100, Китай
Телефон
Электронная почта