8-дюймовые субстраты SiC переходят от пилотного к основному. Изучите вопросы поставок, ценообразования и эпитаксии в 2026 году для производителей энергетических устройств.
2026-09-01 14:19:48
Читать статью
8-дюймовые субстраты SiC переходят от пилотного к основному. Изучите вопросы поставок, ценообразования и эпитаксии в 2026 году для производителей энергетических устройств.
Стойки с искусственным интеллектом перерастают с 10 кВт до более чем 100 кВт. Узнайте, как архитектура 800 В HVDC распределяет спрос между SiC и GaN, и что это значит для характеристик эпиваферов.
Толщина слоя спейсера сильно влияет на криогенный шум в InP HEMT, обеспечивая оптимизированный баланс между мобильностью, управлением затвором и передачей в реальном пространстве. Легирование и стабильность слоя крышек также должны разрабатываться совместно с процессами металлизации и отлёта, чтобы поддерживать низкое сопротивление контакту.
Ознакомьтесь с пластинами TFLN (тонкоплёночный литий-ниобат) для интегрированной фотоники, электрооптической модуляции и применения SAW, с настраиваемой ориентацией кристаллов и толщиной пленки.
β-Ga₂O₃ Подложки для устройств DUV для обнаружения и излучения
Мировые поставки кремниевых пластин достигли 3 573 MSI во втором квартале 2026 года, что на 7,4% больше по сравнению с прошлым годом. Что означают последние данные SEMI для поставок, сроков выполнения и квалификации.
Поделитесь спецификацией, запросите образцы оценки или поговорите с нашей инженерной командой по вашему применению.
Запросите смету
