ЦЕНТР ПРОДУКТА
Ознакомьтесь с нашими стандартными полупроводниковыми подложками и эпи-пластинами — или сотрудничайте с инженерами для создания индивидуальных спецификаций.
Быстро найдите стандартные полупроводниковые пластины или запросите индивидуальные спецификации для вашей программы.
III-V полупроводниковые эпитаксиальные пластины
Точные гетероструктуры, выращенные с помощью MOCVD/MBE, на субстратах InP, GaSb и GaAs. Разработан для высокопроизводительных HEMT, pHEMT, HBT, лазерных диодов, VCSEL и ИК-детекторов. Поддержка индивидуальных эпи-структур — от исследований и разработок до массового производства.
Пластины SiC
Пластины SiC
Шаблон AlN
Шаблон AlN
Подходящих товаров не найдено.
ТРИ СЕМЕЙСТВА ОСНОВНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Просматривайте субстраты и эпи-пластины по материальным семействам. Стандартные конфигурации и индивидуальные спецификации доступны для исследований и разработок и массового производства.
ИНЖЕНЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
СПЕЦИФИКА ПРОГРАММЫ
ПРИМЕНЕНИЕ И ОТРАСЛИ
CASE 01 / ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ СИСТЕМЫ
Решения для широкополосных пластин, разработанные для архитектур 800V+. Обеспечивая высокоэффективное преобразование энергии, быстрое переключение и надёжную работу при высоких температурах.
ФОКУС НА ПРИМЕНЕНИИ
Силовые установки электромобилей · Быстрая зарядка · Промышленные моторные приводы
РЕКОМЕНДУЕМЫЕ ПРОДУКТЫ
ПРОЦЕСС ВОВЛЕЧЕНИЯ
Подайте требования, специфичные для конкретной программы, и наши инженеры проведут их от оценки до подтверждённого предложения.
ИНДИВИДУАЛЬНАЯ ИНЖЕНЕРИЯ
ТЕХНИЧЕСКОЕ РАССЛЕДОВАНИЕ
Поделитесь материалом, размерами, техническими характеристиками, заявкой или стадием проекта. Наша команда рассмотрит ваши требования и ответит в течение одного рабочего дня.
Реакция, основанная на инженерах
Запросы направляются в соответствующую техническую или коммерческую команду.
Адрес
No 1389, улица Ляньмэй, промышленная зона Ляньхуа, Тунъань, Сямэнь, Фуцзянь 361100, Китай
Телефон
Электронная почта
