Select a wafer type to view detailed specs
Экспорт этого продукта регулируется Министерством торговли КНР (MOFCOM). Перед отправкой необходимо получить лицензию на экспорт.
Экспорт этого продукта регулируется Министерством торговли КНР (MOFCOM). Перед отправкой необходимо получить лицензию на экспорт.
Экспорт этого продукта регулируется Министерством торговли КНР (MOFCOM). Перед отправкой необходимо получить лицензию на экспорт.
GaSb предоставляет платформу с решёточным сопоставлением для суперрешёток InAs/GaSb Type-II (T2SL), что позволяет осуществлять инженерию забороченых зон в широком инфракрасном спектре. Типичные устройства: детекторы T2SL, MWIR/LWIR/VLWIR детекторы, инфракрасные фокальные плоскости (FPA). Применения: тепловизионная обработка, обнаружение газов, спектроскопия, оборона и аэрокосмическая отрасль.
Необходимый субстрат для лазеров на основе сурьмы в среднем диапазоне и фотонных структур. Типичные устройства: среднеинфрачервоные лазерные диоды, ИК-светодиоды, фотонные устройства на основе сурьмы, квантовые колодцы и структуры суперрешётки. Применения: Газовое зондирование, экологический мониторинг, медицинская диагностика, молекулярная спектроскопия.
Узкая заборочная зазорка GaSb делает его идеальным для TPV-ячеек, преобразующих тепловое излучение в электрическую энергию. Применения: рекуперация отходного тепла, промышленный сбор энергии, термическое преобразование в электричество, радиоизотопные энергетические системы.
Быстрые ответы по выбору материалов, кастомизации, тестированию и заказу.
GaSb обеспечивает идеально согласованную решётчатую платформу для InAs/GaSb и связанных с ними суперрешётчатых структур типа II. Это позволяет обеспечить эпитаксиальный рост без деформаций и точную инженерию зонного зазора для инфракрасного обнаружения в спектральных диапазонах MWIR, LWIR и VLWIR.
Для детекторов T2SL могут использоваться как субстраты GaSb типа N, так и P. N-тип GaSb обычно выбирается, когда для изготовления устройства требуется электропроводящая подложка. P-тип GaSb часто используется для специфических архитектур детекторов.
Да. PWG дружелюбен к R&D для прототипирования. Мы поддерживаем быструю индивидуальную настройку ориентации, легирования и размеров в соответствии с требованиями вашего устройства.
Пластина из фосфида индия (InP) — это полупроводник с высокой мобильностью и прямым зазором (1,34 эВ) III-V соединенный полупроводник. Оптимизирована для высокочастотных радиочастот (до ТГц), оптической связи 1,3–1,55 мкм и низкошумных фотонных интегральных схем (PIC). С покрытием с низким уровнем EPD и эпи-готовыми поверхностями.
Подробнее
Арсенид галлия (GaAs) сочетает в себе прямую забороченную зону с высокой подвижностью электронов, что делает его широко используемым материалом подложки для высокочастотных и оптоэлектронных устройств. Пластины GaAs от PWG поддерживают MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, лазерные диоды и высокоэффективные солнечные элементы, доступные в различных диаметрах, кристаллических ориентациях и покрытиях, готовых к эпи
. Подробнее
Power Wafertech Group поставляет подложки на основе арсенида индия (InAs) для инфракрасного обнаружения, высокомобильной электроники и передовых исследований полупроводников III-V. Доступные варианты включают N-тип и P-типы InA с выбранным диаметром пластин, ориентацией кристаллов и отделкой поверхности для изготовления устройств и эпитаксиального роста.
Подробнее
Пластина InSb (индийный антимонид) доступна для инфракрасных детекторов MWIR и магниторезистивных устройств. Доступны варианты N-типа и P-типа с эпи-готовыми поверхностями для поддержки специфических требований к изготовлению устройств и эпитаксиального роста.
ПодробнееТехническое расследование
Поделитесь материалом, размерами, техническими характеристиками, заявкой или стадием проекта. Наша команда рассмотрит ваши требования и ответит в течение одного рабочего дня.
Реакция, основанная на инженерах
Запросы направляются в соответствующую техническую или коммерческую команду.
Адрес
No 1389, улица Ляньмэй, промышленная зона Ляньхуа, Тунъань, Сямэнь, Фуцзянь 361100, Китай
Телефон
Электронная почта
