Пластины SiC

Субстрат SiC

Подкладочные пластины SiC для энергетических, радиочастотных, оптоэлектронных и современных полупроводниковых применений. Доступны в вариантах 4H-SiC, 6H-SiC и 3C-SiC, с вариантами N-типа, P-типа и полуизоляционного покрытия, с разными размерами пластин, уровнями легирования и отделкой поверхности.

Политипы — 4H-SiC · 6H-SiC · 3C-SiC
Проводимость — N-тип · P-тип · Полуизоляция
Опции допинга — N-легированный · Аль-допинг · V-легированный
Размеры — 2″ · 3″ · 4″ · 6″· 8″· 12″
Поверхность — SSP · DSP · Эпи-готов
Упаковка — Кассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная

Поделитесь этим продуктом:

Подробные технические характеристики

Опубликованные спецификации по диаметру пластины.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Параметр	8"/200 мм 4H-SiC подложка
Политип	4H
Диаметр	200±0,2 мм
Толщина	350±25 мкм, 500±25 мкм
Ориентация	4° в сторону (11-20) ±0,5°
Тип проводимости	N тип
Допант	Азот (N)
Сопротивление	0,015~0,03Ω·см
MPD	≤2э/см² (класс A); ≤10e/см² (класс B); ≤50ea/см² (класс C)
TTV	≤10 мкм (класс A); ≤15 мкм (класс B); ≤20 мкм (класс C)
Лук	-25~25 мкм (класс A); -45~45 мкм (класс B); -65~65 мкм (класс C)
Варп	≤35 мкм (класс A); ≤50 мкм (класс B); ≤70 мкм (класс C)
Шероховатость поверхности	Si-face CMP Ra ≤0,2 нм C-образная оптическая полировка
Поверхностная отделка	SSP / DSP, готовы к эпи-эпи.
Упаковка	Кассета с одной или несколькими пластинами, вакуумно запечатанная

Параметр	Подложка 6"/150 мм 4H-SiC
Политип	4H
Диаметр	150 ± 0,5 мм
Толщина	350±25 мкм, 500±25 мкм
Ориентация	4° в сторону (11-20) ±0,5°
Тип проводимости	N тип
Допант	Азот (N)
Сопротивление	0,015 – 0,028Ω·см
MPD	≤0,5 см⁻²
TTV
Лук
Варп
Шероховатость поверхности	Si-face CMP Ra ≤0,2 нм C-образная оптическая полировка
Поверхностная отделка	SSP / DSP, готовы к эпи-эпи.
Упаковка	Кассета с одной или несколькими пластинами, вакуумно запечатанная

Параметр	Субстрат SiC 4"/100mm
Политип	4H
Толщина	330 – 650 мкм
Ориентация	4° в сторону (11-20) ±0,5°
Тип проводимости	N тип
Допант	Азот (N)
Сопротивление	0,015–0,028Ом·см
MPD (класс A)	≤ 0,5 см⁻²
TTV
Лук
Варп
Шероховатость поверхности	Si-face CMP Ra ≤0,2 нм C-образная оптическая полировка
Поверхностная отделка	SSP / DSP, готовы к эпи-эпи.
Упаковка	Кассета с одной или несколькими пластинами, вакуумно запечатанная

Применение

Где эта пластина приносит ценность

Силовая электроника

Субстраты SiC служат идеальной платформой для эпитаксиального роста, позволяя производить высокопроизводительные диоды Шоттки (SBD), MOSFET и IGBT. Эти устройства широко применяются в новых энергетических транспортных средствах, железнодорожном транспорте, умных сетях и промышленных моторных приводах, обеспечивая высокую эффективность и надёжность.

Радиочастотные и микроволновые устройства

Полуизолирующие пластины 4H-SiC являются предпочтительным субстратом для транзисторов с высокой электронной подвижностью GaN (HEMT), обеспечивая отличную высокочастотную работу для базовых станций 5G, радиолокационных систем и спутниковой связи.

Новые приложения AR/MR

Благодаря высокому показателю преломления и отличным оптическим свойствам SiC становится перспективным материалом для фотонных интегральных схем и оптических волноводов. Это делает пластины 4H-SiC идеальной подложкой для AR-стекло следующего поколения и дисплеев смешанной реальности, позволяя создавать компактные и высокоэффективные оптические системы на основе волновода.

Электроника для экстремальных условий

Благодаря высокотемпературному сопротивлению и радиационной устойчивости, устройства на базе SiC идеально подходят для применения в суровых условиях, включая аэрокосмические системы, датчики глубокого бурения скважин и другие критически важные электронные системы.

FAQ

Распространённые вопросы об этом продукте

Быстрые ответы по выбору материалов, кастомизации, тестированию и заказу.

Какие типы субстратных пластин SiC предлагает PWG?

Power Wafertech Group поставляет субстратные пластины 4H-SiC, 6H-SiC и 3C-SiC. В зависимости от применения мы предлагаем субстраты типа N, P и полуизолирующие SiC с разными уровнями легирования и электрическими свойствами.

В чём разница между пластинами N-типа, P-типа и полуизолирующими пластинами SiC?

N-тип SiC: обычно легируется азотом и широко используется для субстратов для силовых устройств и эпитаксиального роста. P-тип SiC: обычно легирован алюминием и подходит для PN-соединений, биполярных устройств и специализированных конструкций устройств. Полуизоляционный SiC: обычно легируется ванадием и предназначен для высокочастотных применений, особенно в качестве подложки для эпитаксии GaN HEMT.

Какого уровня MPD могут достичь ваши субстраты SiC?

Наши субстраты SiC доступны с разными спецификациями плотности микротруб (MPD) в зависимости от размера и качества пластины. Для выбранных субстратов с 4H-SiC MPD может достигать ≤0,1 см⁻², тогда как продукты диаметром 6" и 8" доступны с техническими характеристиками, адаптированными к сорту и применению.

Вы предоставляете услуги по обработке пластин SiC?

Да. Помимо обнажённых субстратов, мы можем поддерживать нарезание, шлифовку, протончение, полировку CMP, обработку/металлизацию обратной стороны, кристаллическое соединение и имплантацию ионов в соответствии с требованиями проекта.

Техническое расследование

Поговорите с инженерами о ваших потребностях в пластинах

Поделитесь материалом, размерами, техническими характеристиками, заявкой или стадием проекта. Наша команда рассмотрит ваши требования и ответит в течение одного рабочего дня.