Пластины SiC

Субстрат SiC

Премиальные подложки SiC для электроснабжения, радиочастотных и оптоэлектронных устройств. Доступны в политипах 4H, 6H и 3C с вариантами типа N, P и полуизоляционных вариантов. Предлагается в размерах 2"–12" с покрытием, готовым к эпи, для современного производства полупроводников.

Политипы — 4H-SiC · 6H-SiC · 3C-SiC
Проводимость — N-тип · P-тип · Полуизоляция
Опции допинга — N-легированный · Аль-допинг · V-легированный
Размеры — 2″ · 3″ · 4″ · 6″· 8″· 12″
Поверхность — SSP · DSP · Эпи-готов
Упаковка — Кассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная

Поделитесь этим продуктом:

Подробные технические характеристики

Технические характеристики по типу пластины.

Select a wafer type to view detailed specs

Параметр	8"/200 мм 4H-SiC подложка
Политип	4H
Диаметр	200±0,2 мм
Толщина	350±25 мкм, 500±25 мкм
Ориентация	4° в сторону (11-20) ±0,5°
Тип проводимости	N тип
Допант	Азот (N)
Сопротивление	0,015~0,03Ω·см
MPD	≤2э/см² (класс A); ≤10e/см² (класс B); ≤50ea/см² (класс C)
TTV	≤10 мкм (класс A); ≤15 мкм (класс B); ≤20 мкм (класс C)
Лук	-25~25 мкм (класс A); -45~45 мкм (класс B); -65~65 мкм (класс C)
Варп	≤35 мкм (класс A); ≤50 мкм (класс B); ≤70 мкм (класс C)
Шероховатость поверхности	Si-face CMP Ra ≤0,2 нм; Оптическая полировка C-face
Поверхностная отделка	SSP / DSP, готовы к эпи-эпи.
Упаковка	Кассета с одной или несколькими пластинами, вакуумно запечатанная

Параметр	Подложка 6"/150 мм 4H-SiC
Политип	4H	4H	4H
Диаметр	150 ± 0,5 мм	145,5 ~ 150 мм	145,5 ~ 150 мм
Толщина	350±25 мкм, 500±25 мкм	350 ± 25 мкм	350 ± 25 мкм
Ориентация	4° в сторону (11-20) ±0,5°	4° в сторону (11-20) ±0,5°	2~4° в сторону (11-20) ±0,5°
Тип проводимости	N тип	Полуизоляция	P тип
Допант	Азот (N)	Ванадий (V)	Алюминий (Al)
Сопротивление	0,015 – 0,028Ω·см	≥1×10⁸Ω·см	≤0,3Ω·см
MPD	≤0,5 см⁻²	≤1 см⁻²
TTV		≤5 мкм	≤5 мкм
Лук		–25~25 мкм	≤15 мкм
Варп		≤35 мкм	≤30 мкм
Шероховатость поверхности	Si-face CMP Ra ≤0,2 нм; Оптическая полировка C-face
Поверхностная отделка	SSP / DSP, эпинефрин готов
Упаковка	Кассета с одной или несколькими пластинами, вакуумно запечатанная

Параметр	Субстрат SiC 4"/100mm
Политип	4H	4H	4H	3C (кубический)
Толщина	330 – 650 мкм	350 – 500 мкм	250 – 430 мкм	350±25 мкм
Ориентация	4° в сторону (11-20) ±0,5°	4° в сторону (11-20) ±0,5°	2~4° в сторону (11-20) ±0,5°	По оси (111) ±0,5°
Тип проводимости	N тип	Полуизоляция	P тип	N тип
Допант	Азот (N)	Ванадий (V)	Алюминий (Al)	Азот (N)
Сопротивление	0,015–0,028Ом·см	> 1×10⁸Ω·см	≤0,3Ω·см	≤ 1 мОм·см
MPD (класс A)	≤ 0,5 см⁻²	≤ 1 см⁻²	≤ 0,1 см⁻²	≤ 0,1 см⁻²
TTV			≤5 мкм	≤5 мкм
Лук			≤15 мкм	≤15 мкм
Варп			≤30 мкм	≤30 мкм
Шероховатость поверхности	Si-face CMP Ra ≤0,2 нм; Оптическая полировка C-face
Поверхностная отделка	SSP / DSP, эпинефрин готов
Упаковка	Кассета с одной или несколькими пластинами, вакуумно запечатанная

Применение

Где эта пластина приносит ценность

Силовая электроника

Субстраты SiC обеспечивают высокое напряжение пробоя и низкие потери на переключение, что позволяет создавать энергоустройства с высокой эффективностью. Типичные устройства: MOSFET SiC, барьерные диоды Шоттки (SBD) и IGBT. Применение: силовые установки электромобилей, быстрая зарядка, умные сети, промышленные моторные приводы.

Радиочастотные и микроволновые устройства

Полуизолирующая 4H-SiC является предпочтительным вариантом для HEMT GaN-on-SiC. Её отличная теплопроводность обеспечивает работу на высоких частотах. Применение: базовые станции 5G/6G, радиолокационные системы, спутниковая связь.

Новые приложения AR/MR

Высокий показатель преломления и отличные оптические свойства. Идеально подходит для фотонных интегральных схем (PIC) и оптических волноводов, обеспечивая компактные и высокоэффективные AR/MR дисплеи.

Электроника для экстремальных условий

Устойчивость к высоким температурам и излучение (радиационная жесткость). Разработано для суровых условий: аэрокосмические системы, датчики глубокого бурения, ядерное оборудование и критическая оборонная электроника.

FAQ

Распространённые вопросы об этом продукте

Быстрые ответы по выбору материалов, кастомизации, тестированию и заказу.

Какие типы субстратных пластин SiC предлагает PWG?

PWG предоставляет высококачественные субстраты SiC в политипах 4H, 6H и 3C. Мы предлагаем пластины типа N-типа (N-легированные), P-типы (Al-легированные) и полуизоляционные (V-легированные) пластины с покрытиями, готовыми к эпи, чтобы удовлетворить ваши конкретные требования к устройству.

В чём разница между пластинами N-типа, P-типа и полуизолирующими пластинами SiC?

N-тип SiC: обычно легированный азотом, широко используется для устройств питания SiC и эпитаксиального роста. P-тип SiC: обычно легированный алюминием, подходит для PN-соединений, биполярных устройств и специализированных конструкций устройств. Полуизоляционный SiC: обычно легирован ванадием, предназначен для высокочастотных применений, особенно в качестве подложки для эпитаксии GaN HEMT.

Какого уровня MPD могут достичь ваши субстраты SiC?

Наши субстраты SiC доступны с разной степенью плотности микротруб (MPD) в зависимости от размера пластины. Для выбранных субстратов 4H-SiC MPD может достигать всего ≤0,1 см⁻², а изделия диаметром 6" и 8" доступны с техническими характеристиками, адаптированными под ваш сорт и область применения.

Вы предоставляете услуги по обработке пластин SiC?

Да. Помимо обнажённых субстратов, мы поддерживаем обработку с добавленной стоимостью, включая нарезание, шлифовку, разрядку, полировку CMP, металлизацию обратной стороны, кристаллическое соединение и имплантацию ионов в соответствии с требованиями проекта.

Техническое расследование

Поговорите с инженерами о ваших потребностях в пластинах

Поделитесь материалом, размерами, техническими характеристиками, заявкой или стадием проекта. Наша команда рассмотрит ваши требования и ответит в течение одного рабочего дня.