Пластина с диоксидом кремния

Power Wafertech Group поставляет пластины на основе диоксида кремния (SiO₂ на Si), производимые методом контролируемого термического окисления кремниевых подложок. Доступны как сухое термическое окисление, так и влажное термическое окисление для зависимости от толщины оксида и требований к процессу. Наши пластины SiO₂ имеют контролируемую толщину оксида, хорошую однородность на уровне пластин и готовые к эпи/процессу поверхности.

Размер — 6”, 8”, 12”
Тип — Сухое окисление, влажное окисление
Толщина сухого оксида — обычно 15–300 нм
Толщина влажного оксида — обычно 500 нм–2 мкм
Окисленная поверхность — Одностороннее или двустороннее окисление
Упаковка — Кассета с одной или несколькими пластинами, вакуумно запечатанная

Поделитесь этим продуктом:

Подробные технические характеристики

Опубликованные спецификации по диаметру пластины.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Параметр	Сухое термическое окисление	Влажное термическое окисление
Ориентация субстрата	(100), (110), (111)	(100), (110), (111)
Тип подложки	N-тип / P-тип	N-тип / P-тип
Метод окисления	Сухое окисление O₂	Окисление парами H₂O
Окисленная поверхность	Односторонняя / двусторонняя	Односторонняя / двусторонняя
Типичная толщина оксида	15~300 нм, настраиваемое	500nm~2μm, настраиваемый
Плотность (г/см³)	2.24 – 2.27	2.18 – 2.21
Показатель преломления (λ=546 нм)	1.460 – 1.466	1.435 – 1.458
Диэлектрическая постоянная	3.4 (на частоте 10 кГц)	3.82 (на частоте 1 МГц)
Диэлектрическая прочность (×10⁶ В/см)	9	Не указано

Применение

Где эта пластина приносит ценность

Диэлектрики MOS и Gate

Тонкие сухие тепловые слои SiO₂ могут использоваться как затворные диэлектрики или изоляционные слои в конструкциях устройств на базе MOS. МОП-транзисторы, МОП-конденсаторы Аналоговые устройства Сенсорные устройства Полупроводниковые исследования и разработки

Электрическая изоляция

Более толстые слои SiO₂ обеспечивают электрическую изоляцию между конструкциями устройств и могут использоваться для процессов изоляции. Силовые интегральные схемы Высоковольтные устройства Радиочастотные устройства Изоляционные структуры устройств

MEMS и датчики

Тепловые оксидные слои могут служить изоляционными, маскировочными или жертвенными слоями в производстве MEMS. MEMS-датчики Датчики давления Микроструктуры Кремниевая микрообработка

Диффузия и процессная маскировка

SiO₂ предоставляет полезный маскирующий слой для выбранных этапов обработки полупроводников. Легирующая диффузия Процессы имплантации ионов Процессы травления Изготовление устройств

Пассивация и защита поверхности

Термический оксид также может использоваться как защитный и изолирующий слой в конструкциях на основе кремниевых устройств.

FAQ

Распространённые вопросы об этом продукте

Быстрые ответы по выбору материалов, кастомизации, тестированию и заказу.

Что такое пластина с оксидом кремния?

Пластина из оксида кремния — это кремниевая подложка с контролируемым слоем SiO₂, термически выращённая на поверхности. Он широко используется для изоляции, пассивации, маскировки и изготовления полупроводниковых устройств.

В чём разница между сухим и влажным окислением?

Сухое окисление образует плотный, качественный оксид и обычно предпочитается для тонких оксидных слоёв. Влажное окисление имеет более высокую скорость роста и обычно используется для более толстых слоёв SiO₂.

Вы поддерживаете количество исследований и разработок?

Да. Мы поддерживаем исследования, заказы на прототипы и небольшие партии, а также производственные требования.

Какая информация нужна для получения предложения?

Пожалуйста, укажите размер пластины, ориентацию, тип легирования, сопротивление, толщину SiO₂, способ окисления, сторону окисления и количество окисления.

Техническое расследование

Поговорите с инженерами о ваших потребностях в пластинах

Поделитесь материалом, размерами, техническими характеристиками, заявкой или стадием проекта. Наша команда рассмотрит ваши требования и ответит в течение одного рабочего дня.