Кремниевая эпитаксиальная пластина | Power Wafertech Group

Кремниевая эпитаксиальная пластина

Кремниевая эпитаксиальная пластина

Power Wafertech Group поставляет кремниевые эпитаксиальные пластины (Si epi wafers), выращенные с помощью современной эпитаксии сердечно-сосудистых заболеваний. Точно контролируемые кремниевые эпитаксиальные слои наносятся на проводящие подложки для достижения необходимой толщины, профиля легирования и сопротивления для производства полупроводниковых приборов.
  • Размер 4", 6", 8" и 12"
  • Метод CVD
  • Эпи-структура Структуры N/N⁺, P/P⁺, P/N
  • Толщина эпи. 0,5–150 мкм
  • Эпирезисивность 0,1–1000 Ω·см
  • Субстрат N⁺, P⁺ и подложки с высоким сопротивлением
  • Упаковка Кассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная
Подробные технические характеристики

Опубликованные спецификации по диаметру пластины.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

ПараметрТехнические характеристики
Диаметр пластины4", 6", 8", 12"
Метод ростаCVD
Тип подложкиN⁺ (Sb/A), P⁺ (B), Si с высоким сопротивлением
Ориентация кристаллов(100), (111)
Тип эпи-допингаN-тип (P), P-тип (B)
Эпи-структураN/N⁺, P/P⁺, P/N, многослойный / кастомизированный
Эпи-резистивность0,1–1000 Ω·см
Толщина эпинефри0,5–150 мкм
Профиль допингаПерсонализация
УпаковкаКассета с одной пластиной, вакуумно запечатанная
Применение

Где эта пластина приносит ценность

01

Кремниевая эпитаксия для силовых устройств

1) Power MOSFET и IGBTs N/N⁺ кремниевые эпи-пластины могут быть спроектированы с контролируемой толщиной и сопротивлением эпи, чтобы формировать область дрейфа высоковольтных силовых устройств. Типичные применения включают: силовые MOSFET, IGBT, силовые модули, промышленные моторные приводы, автомобильную силовую электронику. Эпи-слой можно настраивать в соответствии с целевым пробивным напряжением, сопротивлением и архитектурой устройства. 2) Диоды Schottky & JBS Управляемые слегка легированные кремниевые эпи-слои на сильно легированных подложках могут использоваться для оптимизации компромисса между пробоевным напряжением и прямым напряжением. Типичные применения: диоды Шоттки, диоды JBS, мощные выпрямители

02

Кремниевый эпинефри для радиочастотных и высокоскоростных устройств

Кремниевые подложки с высоким сопротивлением и контролируемые эпитаксиальные слои могут использоваться для радиочастотных и микроволновых полупроводниковых структур, что помогает снизить нежелательные паразитарные эффекты. Типичные применения включают: радиочастотные переключатели, низкошумные усилители, VCO, аналоговые схемы высокой частоты, микроволновые устройства

03

Кремниевый эпинефри для биполярных устройств

Для применения биполярных устройств можно разрабатывать индивидуальные P/N, N/P/N или P/N/P структуры. Контролируемая толщина эпинефри и профили легирования позволяют оптимизировать: структуры коллекторов Изоляцию основного коллектора Характеристики пробоя Высокочастотные характеристики Типичные применения включают BJT и высокоскоростные аналоговые устройства.

04

Кремниевой эпинефри для CMOS-сенсоров изображения

Эпитаксиальный кремний P-типа на сильно легированных подложках может использоваться для применения CMOS-сенсоров изображения. Эпитаксиальная структура помогает контролировать электрические эффекты, связанные с подложкой, и поддерживает: низкий тёмный ток Снижение перекрёстных контактов между пикселями Улучшенная равномерность изображения Высокопроизводительная съёмка при слабом освещении

FAQ

Распространённые вопросы об этом продукте

Быстрые ответы по выбору материалов, кастомизации, тестированию и заказу.

Да. Толщина эпи, сопротивление, тип легирования, концентрация легирования и многослойные структуры можно настраивать.

Да. Мы поддерживаем требования к исследованиям и разработкам, прототипам и малым партиям, а также заказам в производственном масштабе.

Пожалуйста, укажите размер пластины, ориентацию, тип субстрата, сопротивление, толщину эпи, допинг эпи, структуру и количество пластины.

Техническое расследование

Поговорите с инженерами о ваших потребностях в пластинах

Поделитесь материалом, размерами, техническими характеристиками, заявкой или стадием проекта. Наша команда рассмотрит ваши требования и ответит в течение одного рабочего дня.

Реакция, основанная на инженерах

Запросы направляются в соответствующую техническую или коммерческую команду.

Адрес

No 1389, улица Ляньмэй, промышленная зона Ляньхуа, Тунъань, Сямэнь, Фуцзянь 361100, Китай

Телефон

+86-592-5633652

Электронная почта

victorchan@powerwafertech.com

Загрузка файла
Электронная почтаvictorchan@powerwafertech.com Телефон+86-592-5633652